узнать больше


  • Нитрид галлия: химические свойства, формула ...

    Нитрид галлия (GaN) - это бинарное химическое соединение галлия и азота. Он представляет собой твердое кристаллическое вещество серого цвета, обладающее

    узнать больше
  • Нитрид галлия (GaN) Вафли

    GaN-PAM-СЯМЫНЬ (в нитрида галлия) основе LED эпитаксиальных пластин для ультра высокой яркости синего и зеленого светоизлучающих диодов (LED) и

    узнать больше
  • Нитрид галлия это... Что такое Нитрид галлия?

    2015.4.30  Кристаллы нитрида галлия могут быть выращены сплавом N и Ga, проводимый при давлении 100 атм в атмосфере N2 при температуре 750 ° C (

    узнать больше
  • Нитрид галлия, мотороллер и Нобелевская премия ...

    2015.6.4  Один из лауреатов Нобелевской премии по физике за 2014 год, профессор Хироси Амано, посетил МГУ имени М.В.Ломоносова, где прочитал 2

    узнать больше
  • (PDF) Подложки нитрида галлия: современное ...

    2017.1.1  Подложки нитрида галлия: современное состояние, проблемы и перспективы. Gallium Nitride substrates: state of the art, problems and ...

    узнать больше
  • Обзор развития технологии на основе нитрида ...

    2011.12.27  Литература Туркин А. Н. Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике // Компоненты и технологии. 2011. №5. Юнович А. Э. Светодиоды на

    узнать больше
  • Механические напряжения в пленках нитрида ...

    Маска представляла собой сетку из полос 8Ю2 шириной 50 мкм, ориентированных вдоль кристаллографических направлений нитрида галлия (1-100) и (11-20) и

    узнать больше
  • Маска для лица GIGI Nutri-Peptide Hydra Vitality Mask

    Очищающая глиняная маска GIGI Nutri-Peptide Purifying Clay Mask Oily Skin для жирной кожи. 3-минутная израильская глиняная маска мягко очищает и не сушит кожу,

    узнать больше
  • GaN-зарядка: что это за технология, отличия от ...

    2023.3.26  Данное GaN зарядное устройство — одно из самых мощных предложений на рынке. Оно выдаёт до 120 Вт, что позволяет одновременно

    узнать больше
  • Нитрид галлия — Википедия

    2024.1.15  Кристаллы нитрида галлия выращивают прямым синтезом из элементов и при давлении 100 атм в атмосфере азота и температуре 750 °C (повышенное давления газовой среды необходимо для осуществления реакции галлия и

    узнать больше
  • Зачем вам нужны полупроводниковые пластины из ...

    2022.9.26  PAM-XIAMEN может поставлять пластины GaN для LD, LED, HEMT и других приложений. Вы можете щелкнуть следующие ссылки для получения дополнительных спецификаций пластин GaN:

    узнать больше
  • Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы Microsemi

    Представлен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области мощных высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) . Таблица 3. GaN транзисторы Microsemi S

    узнать больше
  • Исследование стабильности нанопленок нитрида ...

    Объемные кристаллы нитрида галлия были получены при высоких давлениях, но они являются малодоступными и практически не используются [2, с. 385]. Поэтому нитрид галлия выращивают в виде пленок.

    узнать больше
  • Нитрид кремния — свойства, получение и ...

    Изделия (в том числе и подшипники) из нитрида кремния Нитрид кремния в основном используется в структурах, где нужна высокая прочность и устойчивость к высоким температурам.

    узнать больше
  • Исследование пленок нитрида галлия ...

    2010.4.1  ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК НИТРИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ХЛОРИДГИДРИДНОЙ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ 01.04.10 Физика полупроводников Автореферат диссерта! I,и 11 на соискание ученой степени — "I

    узнать больше
  • Самые чистые кристаллы GaN вырастили в Польше ...

    2010.11.22  93 199 ₽/мес. — средняя зарплата во всех IT-специализациях по данным из 34 766 анкет, за 2-ое пол. 2023 года. Проверьте «в рынке» ли ваша зарплата или нет! 35k 46k 57k 68k 79k 90k 101k 112k 123k 134k 145k. Проверить свою ...

    узнать больше
  • ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОДВИЖНОСТИ ЭКСИТОНОВ В ...

    2017.11.24  галлия (ФЛ) [6-8], нитрида галлия [2] и оксида цинка [3, 4] (КЛ), в которых использовались мате-матические модели, основанные как на числен-ном (ФЛ), так и на аналитическом (КЛ) решениях

    узнать больше
  • Что такое зарядное устройство GaN и почему оно ...

    2023.1.20  Зарядные устройства для нитрида галлия (GaN) были повсюду Выставка CES 2020 . Эта современная альтернатива кремнию означает, что появятся более эффективные зарядные устройства и блоки питания меньшего размера.

    узнать больше
  • Moщные GaN-транзисторы ИстИнно революцИонная ...

    2020.11.15  Приборы на основе нитрида галлия не новы. Они изучаются с 1980-х годов. Первыми приборами на нитриде галлия стали светодиоды, которые за последние 20 лет нашли широкое применение. Затем

    узнать больше
  • Патенты на применение галлия в России и мире ...

    2023.12.7  В последнее десятилетие получили широкое развитие технологии роста гетероструктур из нитрида галлия (GaN) на кремниевых подложках и изготовления на их основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT).

    узнать больше
  • RU2748300C1 - Способ изготовления омического ...

    H01L21/18 — Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or

    узнать больше
  • Нитрид галлия против кремния │ InternationalWealthfo

    2021.11.12  Атака нитрида галлия на кремний как раз вовремя: к 50-летию Закона Мура, предсказания создателя корпорации Intel Гордона Мура, что новые чипы будут удваивать количество транзисторов каждые два года.

    узнать больше
  • Разработка GаN-транзисторов компанией АО «НИИЭТ»

    2021.10.11  Из-за сложности в выращивании собственных подложек нитрида галлия для мощных СВЧ-транзисторов чаще всего используют подожки из чистого карбида кремния.

    узнать больше
  • Почему кремний и почему КМОП? / Хабр - Habr

    2019.4.17  Два варианта инверторов из техпроцесса McDonnell Douglas и инвертор микросхем серии К6500 Работы по арсениду галлия продолжались на «Микроне» с 1984 до по меньшей мере до 1996 года, но никакую информацию о

    узнать больше
  • Нитрид-галлиевые транзисторы в силовой ...

    2020.1.27  Нитрид-галлиевые транзисторы типа HEMT. Новое поколение устройств на основе нитрида галлия — транзисторы типа HEMT (High Electron Mobility Transistor) с высокой подвижностью электронов. В целях ...

    узнать больше
  • Почему важно знать состав зарядного устройства?

    2023.9.12  GaN: Секрет нитрида галлия Как вы, наверное, знаете, компьютеры сегодня изготавливаются из кремниевых чипов. Это обусловлено тем, что кремний является широко доступным элементом, с которым относительно легко работать.

    узнать больше
  • ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ И КОНСТРУКТИВНЫЕ РЕШЕНИЯ ...

    2022.11.23  Одним из методов, пригодных для выращивания подложек нитрида галлия на кремниевой подложке, является метод хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (ХГЭ) [16].

    узнать больше
  • Полупроводниковая энергетика, Лидер отрасли в ...

    2022.8.19  Секунда, Калифорния., 15 августа, 2022 - Энергетический полупроводник (Насдак: НВТС), лидер отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, сегодня объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor, карбид кремния (SiC) пионер с глубоким ...

    узнать больше
  • Промышленное производство галлия и индия ...

    2020.11.15  Нитрид галлия всиловых транзисторах Первые сообщения о синтезе нитрида галлия появились в 1932 году. Изучение свойств GaN и твердых растворов на его основе – InGaAlN – выявило большую подвиж

    узнать больше
  • Нитрид галлия это... Что такое Нитрид галлия?

    2015.4.30  Из-за того что транзисторы из нитрида галлия могут работать при более высоких температурах и напряжениях, ... Кристаллы нитрида галлия могут быть выращены сплавом N и Ga, проводимый при ...

    узнать больше
  • Способ выращивания монокристаллов нитрида ...

    Известен способ выращивания монокристаллов нитрида галлия из смеси газов, включающий подачу к контейнеру с источником галлия хлористого водорода с последующей подачей к поверхности ...

    узнать больше
  • Обзор развития технологии на основе нитрида ...

    2011.12.27  Литература Туркин А. Н. Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике // Компоненты и технологии. 2011. №5. Юнович А. Э. Светодиоды на

    узнать больше
  • Получите факты об элементе галлий - Greelane

    Полупроводники из нитрида галлия используются в синих диодных лазерах проигрывателей Blu-ray™. Арсенид галлия используется для производства сверхярких синих светодиодов.

    узнать больше
  • Кремний доживает последние годы — ему уже ...

    2023.8.15  В настоящее время многие стартапы работают над развитием этой технологии, а значит в 2020-е годы у человечества есть шансы выйти из кремниевой эры и войти в эру нитрида галлия.

    узнать больше
  • Что такое GaN-зарядки и чем они отличаются от ...

    2021.4.21  Актуальная стоимость — технология на основе нитрида галлия только набирает популярность, из-за чего цена на блоки питания с использованием GaN сейчас выше среднего.

    узнать больше
  • Ультрафиолетовые светодиоды (ленты) — принцип ...

    2019.6.8  из нитрида галлия, бора, алюминия и других. Также для работы светодиода нужен управляющий аппарат, ... это целая светодиодная лента из не менее, чем 10-ти штук. Потому правильней ...

    узнать больше
  • Нитрид галлия идет на смену кремнию

    2022.5.12  Да и в целом кристаллы нитрида галлия более устойчивы к воздействию экстремальных температур — они работоспособны при 300 °C с обычным воздушным охлаждением, тогда как предельная температура для кремниевых чипов не ...

    узнать больше
  • Нитрид галлия, мотороллер и Нобелевская премия

    2015.6.4  Один из лауреатов Нобелевской премии по физике за 2014 год, профессор Хироси Амано, посетил МГУ имени М.В.Ломоносова, где прочитал 2 июня лекцию о долгой и непростой истории открытия синего светодиода.

    узнать больше
  • НИТРИД ГАЛЛИЯ ПОЗВОЛЯЕТ ПРЕОДОЛЕТЬ БАРЬЕР ...

    2023.2.28  Полоса пропускания СВЧ-усилителей, выполненных на основе нитрида галлия, может быть расширена до 40 ГГц, время безотказной работы может быть доведено до 106 часов, СВЧ-ИМС этого типа могут ...

    узнать больше